北航新闻网10月14日电（通讯员邓修齐）近日，集成电路科学与工程学院赵巍胜教授团队在自旋芯片领域取得重要进展：基于40纳米CMOS工艺实现96kb电压调控磁各向异性磁随机存储器（VC-MRAM），构建出亚纳秒概率翻转的超快低功耗伊辛机，面向工业级EDA组合优化任务完成芯片实测验证。器件单次自旋更新能耗低于40fJ，系统能效达到1.92×10⁵solutions/s/W，较现有最先进伊辛机提升60至18000倍。

相关成果以“AnIsingmachineforcombinato...